Harga daur ulang target sputtering di pasar internasional sangat menarik. Mengambil target rutenium sebagai contoh, menurut data London Metal Exchange (LME), harga rutenium diperkirakan akan stabil antara $1.000 dan $1.200 per ons pada tahun 2025. Skrap rutenium dengan kemurnian tinggi (kandungan rutenium ≥10%) memiliki harga daur ulang sebesar $150–180 per ons, jauh lebih tinggi daripada kebanyakan logam tradisional.
Terdapat variasi yang signifikan dalam nilai daur ulang berbagai target logam mulia. Bubuk rutenium kelas semikonduktor memiliki harga daur ulang sebesar $218–268 per ons, sementara skrap rutenium kelas industri dihargai sekitar $80–120 per ons.
Harga berfluktuasi karena faktor geopolitik dan rantai pasokan, dengan fluktuasi harian mencapai ±15%. Layanan daur ulang target sputtering profesional memanfaatkan teknologi deteksi canggih untuk menilai nilai skrap secara akurat, memastikan pengembalian yang adil bagi klien.
Dalam manufaktur semikonduktor, target sputtering merupakan material penting untuk produksi cip. Target alumina digunakan dalam deposisi lapisan isolasi dan dielektrik selama manufaktur sirkuit terpadu. Target ini secara efektif mengisolasi sirkuit untuk mencegah interferensi, mengurangi kebocoran arus, dan meningkatkan keandalan serta daya tahan produk.
Target rutenium memiliki nilai khusus dalam industri semikonduktor, terutama dalam manufaktur lapisan interkoneksi chip di bawah 7nm. Lapisan rutenium memastikan transmisi arus yang stabil, sehingga meningkatkan kinerja dan keandalan chip.
Seiring dengan kemajuan node proses di bawah 5 nm, persyaratan laju sputtering untuk material target dalam struktur perangkat 3D telah meningkat hingga lebih dari 10 nm/menit. Target rutenium menunjukkan kinerja yang luar biasa dalam domain ini, menjadikannya material yang sangat diperlukan untuk manufaktur chip kelas atas.
Industri semikonduktor menuntut kemurnian yang sangat tinggi untuk material target, biasanya mensyaratkan standar minimum 99,99% (kadar 4N). Hal ini membuat nilai daur ulang target skrap semikonduktor jauh lebih tinggi dibandingkan skrap dari sumber lain.
Harga target daur ulang sputtering tidak dikutip secara sembarangan tetapi dihitung menggunakan rumus daur ulang logam mulia yang tepat : Harga Daur Ulang Aktual = (Kemurnian Limbah Aktual ÷ Kemurnian Standar) × (Tingkat Pemulihan Aktual ÷ Tingkat Pemulihan Acuan) × Harga Acuan Logam Harian - Biaya Pemrosesan.
Variabel pertama adalah perbandingan kemurnian. Iridium oksida kelas industri biasanya memiliki kemurnian standar 99,99%. Jika kemurnian aktual skrap berada di bawah standar ini, harganya akan didiskon.
Variabel kedua adalah perbandingan tingkat pemulihan. Tingkat pemulihan standar industri umumnya ditetapkan sebesar 95%. Jika skrap memiliki bentuk yang kompleks atau mengandung pengotor yang sulit dipisahkan, tingkat pemulihan aktual dapat menurun, yang akan memengaruhi penawaran akhir.
Variabel ketiga adalah harga acuan logam harian. Acuan resminya adalah harga spot London Metal Exchange (LME), yang diperbarui secara global dan waktu nyata (real-time) untuk memastikan transparansi harga.
Terakhir, biaya pemrosesan dikurangi, yang bergantung pada bentuk skrap dan tingkat kesulitan pemrosesan. Material target curah memiliki biaya pemrosesan yang lebih rendah, sementara skrap film tipis memerlukan proses pemisahan yang kompleks, sehingga meningkatkan biaya secara signifikan.
Harga daur ulang target rutenium bergantung pada beberapa faktor. Target rutenium dengan kemurnian tinggi (kandungan rutenium ≥10%), seperti skrap target semikonduktor dan katalis rutenium bekas , memiliki harga daur ulang sekitar $150–180 per ons.
Skrap rutenium dengan kemurnian sedang (kandungan rutenium 1%-10%), seperti larutan limbah elektroplating dan limbah elektroda fotovoltaik, memiliki harga perolehan sekitar $80-120 per ons. Skrap dengan kemurnian rendah (kandungan rutenium <1%), termasuk pelapis komponen elektronik dan larutan limbah laboratorium, dihargai sekitar $30-60 per ons.
Terdapat variasi regional yang signifikan dalam daur ulang target rutenium. Wilayah dengan kemampuan teknis yang maju biasanya menawarkan kuotasi daur ulang 15%-20% lebih tinggi daripada wilayah yang kurang berkembang, yang secara langsung berkaitan dengan presisi deteksi dan proses pemulihan.
Kemajuan teknologi telah meningkatkan efisiensi daur ulang target rutenium. Teknologi pirolisis gelombang mikro dapat memisahkan rutenium dari wadah keramik pada suhu 2000°C, meningkatkan tingkat pemulihan dari 75% menjadi 99,2% dan secara substansial meningkatkan nilai daur ulang.
Pabrik semikonduktor merupakan sumber utama limbah target sputtering berkualitas tinggi. Target yang dibuang, residu pembersih ruang sputtering, dan substrat film tipis di bawah standar yang dihasilkan selama produksi chip semuanya mengandung logam mulia yang dapat dipulihkan.
Produsen perangkat layar juga menghasilkan limbah target sputtering dalam jumlah besar. Target rutenium dan iridium oksida yang digunakan dalam produksi layar OLED, meskipun hanya setebal puluhan nanometer, memiliki nilai daur ulang yang cukup besar.
Industri fotovoltaik merupakan sumber penting lainnya. Berbagai target logam mulia digunakan dalam produksi sel surya, dengan logam mulia yang dapat dipulihkan terdapat baik dalam limbah produksi maupun panel fotovoltaik yang telah habis masa pakainya.
Lembaga penelitian dan laboratorium universitas juga menghasilkan limbah target sputtering dengan kemurnian tinggi dalam jumlah kecil. Residu ini biasanya menunjukkan kemurnian tinggi, kompleksitas pemrosesan minimal, dan nilai daur ulang yang relatif tinggi.
Pelapis paduan rutenium -iridium yang digunakan dalam aplikasi kedirgantaraan dan pertahanan mampu menahan suhu hingga 4000°C. Harga satuan untuk mendaur ulang limbah paduan khusus ini seringkali jauh melebihi harga skrap biasa.
Bahasa
